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簡要描述：產(chǎn)品咨詢 龔經(jīng)理 I8721868497 VX同號美國 UNIVERSITY WAFER P型摻雜硅襯底 晶圓P 型摻雜涉及將受體原子（如硼）引入本征（純）硅中。這些原子的價電子比硅少（3 個而不是 4 個），在晶格中形成“空穴"。
產(chǎn)品型號：3210廠商性質(zhì)：代理商更新時間：2026-07-10訪 問 量：58
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詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
產(chǎn)品咨詢 龔經(jīng)理 I8721868497 VX同號
美國 UNIVERSITY WAFER P型摻雜硅襯底 晶圓
什么是 P 型摻雜？
P 型摻雜涉及將受體原子（如硼）引入本征（純）硅中。這些原子的價電子比硅少（3 個而不是 4 個），在晶格中形成“空穴"。
空穴充當電荷載流子。
當來自相鄰原子的電子跳入以填充它們時，這些空穴可以在晶格中移動。
空穴的這種運動本質(zhì)上是正電荷傳導(dǎo)。
結(jié)果：添加的硼越多（在限制范圍內(nèi)），產(chǎn)生的孔就越多，電導(dǎo)率也就越高。
| 本征硅 | P 型摻雜硅 | |
|---|---|---|
| 電荷載體 | 電子和空穴 | 大部分是 Holes |
| 傳導(dǎo)率 | 低 | 高于 intrinsic |
| 摻雜劑示例 | – | 硼、鎵 |
| 運營商類型 | 平衡 | 大多數(shù)：孔（積極） |
浮子區(qū) （FZ） 6“?×25mm P 型 Si：P[100]，（7,025-7,865）Ohmcm， 1 SEMI 平面 我們有大量的初裝、測試和機械級未摻雜、低摻雜和高摻雜硅片 1" – 12“ 硅片 低摻雜和高摻雜 現(xiàn)貨供應(yīng)，隨時可以發(fā)貨。全硅片盒和部分硅片盒的示例包括：
美國 UNIVERSITY WAFER P型摻雜硅襯底 晶圓
100mm P/B （100） 1-10 ohm-cm 25um 2um 薄硅也可用！
以下只是我們出售的晶圓規(guī)格之一！
1“ 未摻雜硅 （100） >1,000 ohm-cm 250um DSP
2 英寸 P/硼 （100） 1-10 歐姆-厘米 280 微米 SSP
3“ N/磷 （100） 0.01-0.02 ohm-cm 380um DSP
4“ 本征硅 （100） >20,000 ohm-cm 500um DSP
6 英寸 P/B （111） <1 ohm-cm 300um SSP
8“ 本征 （100） >5,000 ohm-cm 750um SSP
12 英寸 P/B （100） 10-20 歐姆-厘米 DSP 850 微米
我們可以定制小批量的晶圓。我們可以把它們切成丁，把它們稀釋成 2um。我們有未摻雜、低摻雜和高摻雜硅襯底，始終備有庫存。
P 型硅
Si 項目 #1390 – 50.8mm P 型硼摻雜 （100） 0.001-0.005 ohm-cm 280um SSP Prime
Si 項目 #978 – 76.2mm P 型摻硼 （100） 1-10 ohm-cm 380um SSP Prime
Si 項目 #783 – 100mm P 型摻硼 （100） 10-20 ohm-cm 500um SSP Prime
Si 項目 #2454 – 150mm P 型摻硼 （100） 0.01-0.02 ohm-cm 625um SSP
Si 項目 #2516 – 200mm P 型摻硼 （100） 24-36 ohm-cm 725um SSP
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